我们为全球各个行业提供Diodes 1N4756A-T现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一款能精准稳压、坚固耐用的电路保护核心吗？1N4756A-T齐纳二极管正是为您而来。它能为您提供精确的47V基准电压（容差±5%），并凭借1W的强大功率处理能力，在电路中扮演可靠的“电压锚”角色，有效抑制过压浪涌，保护后端精密元件。

这颗芯片能让您的设计轻松应对严苛环境。其工作温度横跨-65°C至175°C，确保无论是极寒还是高温工况，性能都始终如一。低至5A的反向泄漏电流和标准的DO-41轴向封装，进一步帮助您实现高效、稳定的电路布局，简化生产与维护流程。

• 型号:1N4756A-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-41
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 47V 1W DO41
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):47 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:1 W
• 阻抗（最大值）(Zzt):80 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 35.8 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向
• 供应商器件封装:DO-41
• 1N4756A-T，Diodes产品一站式供应商。