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您正在寻找一颗能稳固锁定51V电压，并提供高达1瓦保护能力的核心元件吗？1N4757A-T齐纳二极管正是您的理想之选。它能为您的高压侧电路提供一个精准可靠的电压基准，或在电源线路中作为高效的瞬态电压抑制器，将危险的过压尖峰轻松化解，确保您后级敏感电路的安全。

这颗芯片能让您的设计更加稳健。其±5%的电压容差带来了良好的精度，而仅95欧姆的最大动态阻抗则意味着它在稳压时响应迅速、效果出色。宽广的-65°C至175°C工作温度范围，让它能从容应对各种恶劣环境挑战。无论是用于稳压、电压钳位还是作为简单的参考源，1N4757A-T都能以经典的性能和可靠的品质，助您构建出更高效、更耐用的电子系统。

• 型号:1N4757A-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-41
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 51V 1W DO41
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):51 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:1 W
• 阻抗（最大值）(Zzt):95 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 38.8 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向
• 供应商器件封装:DO-41
• 1N4757A-T，Diodes产品一站式供应商。