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1N5221B-T 零件图片(仅供参考)

1N5221B-T
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1N5221B-T 规格参数

还在为寻找一个精准可靠的2.4V电压基准源而四处比对吗?让1N5221B-T为您提供简洁高效的解决方案。这颗齐纳二极管能为您在电路中建立一个坚固的2.4V“电压墙”,无论输入如何波动,它都能将输出电压牢牢稳定在目标值,误差范围严格控制在±5%以内。

它让您轻松实现电压钳位、生成参考电压或进行简单的过压保护。其500mW的功率处理能力足以应对常见的冲击,而高达200°C的工作温度上限则确保了它在苛刻环境下的可靠性。选择它,就是为您的电路核心选择一个值得信赖的守护者。

  • 型号:1N5221B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 1N5221B-T,Diodes产品一站式供应商。
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1N5221B-T 基本参数:

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