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还在寻找一个能精准锚定电压的可靠伙伴吗？1N5230B-T齐纳二极管正是为您而来。它核心的任务，就是在电路中提供一个稳定、精确的4.7V基准电压，无论输入如何变化或负载怎样波动，它都能牢牢地将电压“钳制”在设定值，有效防止后续精密器件因过压而受损。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。它拥有±5%的高精度和仅19欧姆的低动态阻抗，确保电压基准既准确又稳定。其500mW的功率容量和宽广的-65°C至200°C工作温度范围，让您能够轻松应对各种应用环境下的挑战。无论是用于电源稳压、信号钳位还是作为电压参考，1N5230B-T都能以高效、可靠的方式，守护您电路的平稳运行。

• 型号:1N5230B-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):4.7 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):19 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 2 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 200°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 1N5230B-T，Diodes产品一站式供应商。