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您是否希望为电路找到一个既精准又坚固的“电压锚点”？1N5232B-T齐纳二极管正是您理想的解决方案。它能为您提供稳定的5.6V基准电压，容差精确控制在±5%以内，有效钳位电压，防止后续精密元件因过压而受损，让您的设计基础更加稳固。

这颗芯片能轻松应对从-65°C到200°C的极端温度挑战，确保设备在严寒或酷热环境中依然可靠工作。其500mW的功率处理能力和低至11欧姆的动态阻抗，让它在稳压时响应迅速、效率出众，同时将功耗和发热控制在理想水平，助您高效构建更节能、更耐用的电子产品。

• 型号:1N5232B-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):5.6 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):11 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 3 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 200°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 1N5232B-T，Diodes产品一站式供应商。