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还在为寻找一个稳定可靠的6.8V电压基准或保护方案而烦恼吗？让1N5235B-T齐纳二极管来为您解决难题。这颗芯片的核心使命，就是在您的电路中建立一个坚固的“电压堤坝”，当电压超过6.8V时，它会迅速导通，将多余的能量泄放掉，从而保护后端精密器件免受高压冲击；同时，它也能为您提供一个非常精准的6.8V参考电压，是稳压电路、电压钳位和信号调理中的理想选择。

它能让您轻松实现高效的电路保护与稳压。凭借仅5欧姆的动态阻抗和±5%的电压精度，它能确保电压基准的稳定性，大幅提升您整个系统的可靠性。其宽达-65°C至200°C的工作温度范围，意味着它能伴随您的产品挑战各种极端环境，从消费电子到工业设备，都能游刃有余。选择1N5235B-T，就是为您的产品注入一份稳定可靠的核心力量。

• 型号:1N5235B-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):6.8 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):5 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 5 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 200°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 1N5235B-T，Diodes产品一站式供应商。