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您正在寻找一个能确保电路板核心电压坚如磐石的解决方案吗？1N5236B-T齐纳二极管正是为此而生。它能为您提供精准可靠的7.5V稳压，容差严格控制在±5%以内，轻松应对输入电压的波动，为后级敏感电路创建一个稳定的“安全区”。无论是作为电压基准还是过压保护钳位，它都能让您的设计远离电压不稳的困扰。

这颗芯片拥有500mW的强大功率处理能力，动态阻抗低至6欧姆，这意味着即使在电流变化时，它也能高效地维持电压稳定。其宽广的工作温度范围（-65°C ~ 200°C）让它能从容应对各种苛刻环境。通过经典的DO-35轴向封装，它为您提供了坚固可靠的通孔安装选项，让集成与维护都变得简单高效。

• 型号:1N5236B-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):7.5 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):6 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 6 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 200°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 1N5236B-T，Diodes产品一站式供应商。