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1N5240B-T 零件图片(仅供参考)

1N5240B-T
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1N5240B-T 规格参数

还在为寻找一颗稳定可靠的10V基准源而四处寻觅吗?1N5240B-T齐纳二极管正是您期待的解决方案。它能为您精准地“锁定”10V电压(容差±5%),将高达500mW的功率波动稳稳吸收,确保您电路中的关键节点电压恒定不变,有效隔离噪声干扰,让您的系统运行更加平稳可靠。

这颗芯片能为您做什么?它就像一个自动化的电压“守门员”。当电压正常时,它保持高阻抗状态(反向泄漏电流仅3A @ 8V),几乎不消耗能量;一旦电压超过10V阈值,它会迅速导通分流,将电压钳位在安全值,从而保护后端精密器件。其1.1V @ 200mA的正向导通特性也提供了额外的灵活性。无论是用于电压基准、稳压还是简单的过压保护,它都能让您的设计事半功倍,轻松实现更高的系统稳定性。

  • 型号:1N5240B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):10 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 8 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 1N5240B-T,Diodes产品一站式供应商。
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1N5240B-T 基本参数:

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