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1N5242B-T 零件图片(仅供参考)

1N5242B-T
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1N5242B-T 规格参数

您是否在寻找一颗能精准“锁定”电压、为电路提供坚实保护的“守护神”?1N5242B-T齐纳二极管正是为此而生。它能为您提供稳定的12V基准电压(容差±5%),有效钳制过压,保护后端精密元件免受浪涌冲击,让您的电源设计和信号调理电路固若金汤。

这颗芯片能让您轻松应对严苛环境。其工作温度横跨-65°C至200°C,无论是工业现场的极端温度,还是汽车电子的复杂工况,它都能稳定运行。500mW的功率处理能力和低至1A的反向泄漏电流,更确保了系统的高效与可靠。选择它,就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

  • 型号:1N5242B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 A @ 9.1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 1N5242B-T,Diodes产品一站式供应商。
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1N5242B-T 基本参数:

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