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1N5248B-T 零件图片(仅供参考)

1N5248B-T
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1N5248B-T 规格参数

您正在寻找一颗能确保电路核心电压坚如磐石的“定海神针”吗?1N5248B-T齐纳二极管正是为此而生。它能为您提供精准可靠的18V基准电压(容差±5%),无论是用于电压钳位、稳压还是过压保护,都能让您的系统核心免受电压波动干扰,工作状态始终稳定如一。

这颗芯片拥有500mW的功率处理能力和低至21欧姆的动态阻抗,让您轻松应对各种负载条件,实现高效的能量管理。其卓越的环境适应性,支持从-65°C到200°C的极端温度范围,确保您的设备即使在严苛工况下也能持续可靠运行。选择它,就是为您的产品选择了一份经过时间验证的稳健与安心。

  • 型号:1N5248B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):21 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 14 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 1N5248B-T,Diodes产品一站式供应商。
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1N5248B-T 基本参数:

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