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1N5251B-T 零件图片(仅供参考)

1N5251B-T
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1N5251B-T 规格参数

您正在寻找一颗能精准稳压、坚固耐用的电路守护者吗?1N5251B-T齐纳二极管正是为此而生。它能为您提供稳定的22V电压基准,并在电压异常时迅速钳位,高效保护您后级电路中的敏感元器件,让您的设计免受电压浪涌的侵害。

这颗芯片拥有±5%的高精度容差和500mW的功率处理能力,确保在各种应用条件下性能稳定如一。其宽达-65°C至200°C的工作温度范围,让您的产品即使面对极端环境也能可靠运行。无论是用于电源稳压、信号调理还是作为电压参考,1N5251B-T都能以经典的轴向封装,轻松融入您的电路板布局,为您的系统增添一份坚实的保障。

  • 型号:1N5251B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 22V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):22 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):29 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 17 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 1N5251B-T,Diodes产品一站式供应商。
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1N5251B-T 基本参数:

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