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1N5256B-T 零件图片(仅供参考)

1N5256B-T
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1N5256B-T 规格参数

还在为电路中的电压不稳而烦恼吗?让1N5256B-T为您带来安心的守护。这颗30V齐纳二极管的核心使命,就是为您提供一个精准、可靠的电压基准和箝位保护。它能将电压稳定地控制在设定值,有效吸收浪涌和瞬态过压,让您的核心电路远离电压波动的威胁,从而提升整个系统的稳定性和寿命。

凭借±5%的高精度和仅49欧姆的动态阻抗,它能让您的电压参考点更加精准,信号更干净。高达500mW的功耗能力和宽达-65°C至200°C的工作温度范围,意味着它能在各种苛刻环境下持续稳定工作,无论是工业严苛现场还是消费电子内部,都能轻松胜任。选择它,就是为您的设计选择了一份经过验证的稳健与高效。

  • 型号:1N5256B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):49 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 23 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 1N5256B-T,Diodes产品一站式供应商。
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1N5256B-T 基本参数:

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