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您正在寻找一颗能精准锁定电压、守护电路安全的“稳压卫士”吗？1N5261B-T正是为此而生。它能为您提供高达47V的稳定齐纳电压基准，容差精细至±5%，有效将电路中的电压波动牢牢控制在安全范围内，无论是用于电压钳位、稳压还是作为参考电压源，都能让您的设计基础无比稳固。

这颗芯片的核心价值在于让您轻松实现高效保护。其500mW的最大功耗和仅105欧姆的动态阻抗，意味着它能以更小的压降和热量，高效地分流过压能量，保护后端精密元件。同时，低至100nA@36V的反向泄漏电流，确保了它在待机或轻载时几乎不消耗额外功率，帮助您优化整体能效。从-65°C到200°C的极端温度下稳定工作，让它能伴随您的产品征战四方，无惧环境挑战。

• 型号:1N5261B-T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):47 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):105 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 36 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
• 工作温度:-65°C ~ 200°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 1N5261B-T，Diodes产品一站式供应商。