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1N5262B-T 零件图片(仅供参考)

1N5262B-T
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1N5262B-T 规格参数

您正在寻找一颗能精准锁定51V电压的“电路定海神针”吗?1N5262B-T齐纳二极管正是您的理想选择。它能为您提供高度稳定的基准电压或可靠的过压保护,其±5%的精密容差让电压输出始终在您掌控之中,而高达500mW的功率处理能力则确保了它在各种工况下的耐用性。

这颗芯片能让您的设计轻松应对极端环境。从零下65度的严寒到200度的高温,它都能稳定工作,性能几乎不打折扣。极低的反向泄漏电流和优化的阻抗特性,意味着它能高效地完成电压钳位任务,同时将自身能耗降至最低,从而帮助您提升整个电路系统的能效与可靠性。

  • 型号:1N5262B-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:DO-35
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 51V 500MW DO35
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):51 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):125 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 39 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
  • 1N5262B-T,Diodes产品一站式供应商。
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1N5262B-T 基本参数:

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