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还在寻找一颗能完美担当电路开关重任的“核心枢纽”吗？2N7002-7-G正是为您而来！这颗由Diodes Incorporated打造的N沟道MOSFET，就像一个反应敏捷的电子开关，能轻松响应您的控制信号，高效、可靠地导通或关断高达60V的电路。

它能让您的设计事半功倍。无论是用于电源管理中的负载开关，还是信号路径的切换，其优异的性能都能确保低损耗和快速响应，直接提升您整机设备的能效与运行速度。选择它，就是为您的产品注入一份经久耐用的稳定基因。

• 型号:2N7002-7-G
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V SOT23-3
• 系列:*
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• 2N7002-7-G，Diodes产品一站式供应商。