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还在寻找能完美驱动您小型化设备的开关解决方案吗？2N7002DW-13-G正是为您而来！这颗来自Diodes Incorporated的双N沟道MOSFET阵列，集高效能与微型封装于一身，让您的电路设计瞬间变得清爽、高效。

它能让您轻松实现精准的信号切换与负载控制，其紧凑的SOT-363封装为您节省宝贵的PCB空间，特别适合便携式消费电子、电源管理模块等对尺寸有严苛要求的应用。选择它，就是选择了一个久经考验、稳定可靠的性能伙伴，助您快速将创意转化为成熟可靠的产品。

• 型号:2N7002DW-13-G
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
• 系列:*
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:-
• 配置:-
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• 2N7002DW-13-G，Diodes产品一站式供应商。