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还在为电路板空间紧张而头疼吗？2N7002DW-7-G正是为您排忧解难的利器。这颗由Diodes Incorporated打造的双N沟道MOSFET阵列，采用超紧凑的SOT-363封装，能轻松将两个独立的60V MOSFET功能集成到极小的面积内，让您的高密度设计游刃有余。

它的核心价值在于为您提供高效、可靠的开关解决方案。无论是进行精准的信号切换，还是驱动小型负载，它都能确保快速响应和低功耗运行，显著提升您产品的整体能效和可靠性。选择它，就是选择了一种更简洁、更稳健的设计路径，让您的产品在小型化和高性能的平衡中脱颖而出。

• 制造商产品型号：2N7002DW-7-G
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：*
• 零件状态：有源
• FET类型：-
• FET功能：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• 功率-最大值：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 封装：-
• 2N7002DW-7-G，Diodes产品一站式供应商。