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2N7002DWS-7 零件图片(仅供参考)

2N7002DWS-7
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2N7002DWS-7 规格参数

还在为板卡空间紧张而发愁吗?2N7002DWS-7双N沟道MOSFET阵列,是您实现高密度设计的秘密武器。它在一个微小的SOT-363封装内,为您提供了两个独立的60V/247mA开关通道,让您轻松实现双路信号切换、负载驱动或电源管理,大幅节省布局面积。

这颗芯片能为您做什么?它让您以极低的栅极驱动需求(Vgs(th)最大仅2.5V),高效控制小功率电路的通断。其优异的导通电阻(典型值)和超快的开关特性,确保信号完整性与系统响应速度。无论是消费电子、工业控制还是通信模块,它都能稳定可靠地工作于-55°C至150°C的宽广温度范围,是您追求高性能与高可靠性的不二之选。

  • 型号:2N7002DWS-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):247mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):41pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:290mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 2N7002DWS-7,Diodes产品一站式供应商。
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2N7002DWS-7 基本参数:

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