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您是否在寻找一颗能轻松胜任低电压、小信号开关任务的“全能型选手”？2N7002E-7-G正是您的理想答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，专为高效、紧凑的电路设计而生。

它能让您轻松实现信号切换、负载驱动或电平转换。其小巧的SOT-23封装非常适合空间受限的便携式设备，而60V的漏源电压能力则提供了充足的余量和可靠性，确保您的设计稳定运行。

选择它，就是选择了一个久经沙场、值得信赖的解决方案，助您以更低的成本和更高的效率，快速实现产品功能。

• 型号:2N7002E-7-G
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V SOT23
• 系列:*
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• 2N7002E-7-G，Diodes产品一站式供应商。