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您正在寻找一颗能轻松驾驭低功率开关任务的“全能型选手”吗？2N7002H-7正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和170mA的电流处理能力，专为高效、精准地控制小信号和低功率负载而优化。

它能让您轻松实现高速的开关动作，得益于其低至7.5欧姆的导通电阻和极小的栅极电荷，显著降低了开关损耗和驱动需求。无论是用于便携设备的电源管理、信号路径切换，还是作为GPIO口的扩展驱动，它都能确保您的系统运行更高效、更可靠。

采用紧凑的SOT-23封装，并支持-55°C至150°C的宽温工作，这颗芯片为您提供了极大的设计灵活性和环境适应性，是追求空间利用率和产品稳定性的工程师的明智之选。

• 型号:2N7002H-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:26 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 2N7002H-7，Diodes产品一站式供应商。