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还在为电路中的高效信号开关寻找一颗“得力干将”吗？2N7002T-7-G就是您期待的解决方案。这款N沟道MOSFET就像一个反应迅速、控制精准的电子开关，能轻松胜任高达60V电压下的负载驱动与信号路径切换任务。

它能让您的设计事半功倍。凭借其紧凑的SOT523封装，它能极大地节省宝贵的电路板空间，非常适合集成到各类便携式设备和模块化产品中。无论是控制LED的明灭、管理电源轨的通断，还是驱动小型继电器，它都能以极高的效率可靠工作，帮助您简化电路设计，提升系统整体可靠性。

• 型号:2N7002T-7-G
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V SOT523
• 系列:*
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• 2N7002T-7-G，Diodes产品一站式供应商。