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您正在设计需要高效、可靠信号开关的电路吗？2N7002TA N沟道MOSFET正是您的理想选择。它能轻松胜任各种低功率切换任务，例如控制LED、驱动小型继电器或在数字电路中作为高速开关，让您的设计更加简洁高效。

这颗芯片拥有60V的漏源击穿电压和115mA的连续电流能力，配合仅2.5V的低开启电压，可直接由微处理器驱动，省去额外电路。其SOT-23-3超小封装为您节省宝贵空间，而优异的开关特性则能确保快速响应，提升系统整体性能。

• 型号:2N7002TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 2N7002TA，Diodes产品一站式供应商。