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您正在寻找一颗能高效、可靠地处理小信号开关任务的“全能选手”吗？2N7002TC正是这样一款经典的N沟道MOSFET。它能轻松胜任60V电压、115mA电流范围内的负载控制与信号切换，让您的电路设计简洁而高效。

得益于其仅需5V的低驱动门槛和7.5欧姆的低导通电阻，它能显著降低功耗，提升系统能效。超小的SOT-23-3封装为您节省宝贵的电路板空间，而宽广的工作温度范围则确保了它在各种环境下都能稳定运行。无论是用于电平转换、负载驱动还是作为模拟开关，它都能让您的设计事半功倍。

• 型号:2N7002TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 2N7002TC，Diodes产品一站式供应商。