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您是否在寻找一颗能在紧凑空间内，以极高效率完成信号切换与负载控制的“全能选手”？2N7002TQ-7-F正是为此而生。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达60V的电压和115mA的电流，其核心价值在于让您用极简的电路，实现稳定可靠的开关功能。

它最大的魅力在于“高效”与“易用”。仅需5V的低驱动电压即可实现高效导通，配合超低的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、续航更持久。其汽车级（AEC-Q101）的卓越品质，确保了它在从-55°C到150°C的严酷温度范围内性能依然坚如磐石。无论是用于便携设备的电源管理，还是汽车电子中的传感器控制，它都能让您的设计脱颖而出，轻松应对各种挑战。

• 型号:2N7002TQ-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• 2N7002TQ-7-F，Diodes产品一站式供应商。