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还在为电路板上的空间捉襟见肘而发愁吗？2N7002VA-7-F就是为您的高密度设计而生。这颗双N沟道MOSFET将两个独立的开关单元集成在微小的SOT-563封装内，让您轻松实现信号路径切换、低功率负载驱动或电源分配功能，同时为您的PCB布局节省出宝贵空间。

它不仅仅小巧。凭借60V的耐压能力和最高280mA的驱动电流，它能稳健地处理各种低压控制任务。其低至2.5V的栅极阈值电压，让它可以与多种逻辑电平（包括3.3V和5V系统）高效兼容，简化您的驱动电路设计。选择它，就是选择了一种让产品更紧凑、更可靠的智能方式。

• 型号:2N7002VA-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:150mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• 2N7002VA-7-F，Diodes产品一站式供应商。