我们为全球各个行业提供Diodes 2N7002W-7-F现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否在寻找一颗能完美平衡性能、尺寸与可靠性的信号开关核心？2N7002W-7-F正是您理想的答案。这颗N沟道MOSFET能为您高效、精准地控制电路中的小电流通路，无论是切换数字信号、驱动微型负载还是实现电源管理功能，它都能轻松胜任。

它拥有60V的耐压和115mA的驱动能力，配合低至7.5欧姆的导通电阻，能显著降低功耗与发热。其微小的SOT-323封装让您能在极其紧凑的空间内进行布局，而宽广的工作温度范围则确保了从消费电子到工业设备等各种应用场景下的稳定表现。选择它，让您的设计更高效、更可靠、更精巧。

• 型号:2N7002W-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• 2N7002W-7-F，Diodes产品一站式供应商。