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您正在寻找一颗能完美融入高密度设计、同时提供强劲驱动力的PNP晶体管吗？BC857BLP4-7B正是为您而来。这颗采用微型DFN封装的芯片，集45V高压承受能力、100mA驱动电流和高达220的电流增益于一身，能让您轻松实现高效信号放大与精准开关控制，显著提升电路性能。

它卓越的电气特性，如低饱和压降和低截止电流，直接转化为更低的功耗与更少的热量产生，让您的设备运行更高效、更持久。其宽广的-55°C 至 150°C工作温度范围，确保了在各种严苛环境下的稳定表现。选择BC857BLP4-7B，就是为您的创新设计注入一颗可靠而强大的核心。

• 型号:BC857BLP4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:45 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:650mV @ 5mA，100mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:15nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:220 @ 2mA，5V
• 功率 - 最大值:250 mW
• 频率 - 跃迁:100MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:3-XFDFN
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• BC857BLP4-7B，Diodes产品一站式供应商。