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还在为高压小信号电路的开关选择而费神吗？让BS107P来为您轻松化解难题！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为需要可靠高压切换的应用而生。它拥有200V的耐压和120mA的电流处理能力，能以极低的驱动电压（最低2.6V）高效导通，是您实现精密信号控制或电源管理的得力助手。

采用经典的TO-92-3封装，它让您的PCB布局更加灵活自由。其宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和稳定的性能，确保您的产品在各种环境下都能持久稳定运行。选择它，就是为您的设计选择了一份高效与安心的保障。

• 型号:BS107P
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-92
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.6V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
• BS107P，Diodes产品一站式供应商。