还在为小功率开关电路寻找一颗“扛得住”又“省心”的核心器件吗?BS107PSTZ正是您的理想之选!这颗N沟道MOSFET拥有200V的强劲耐压和120mA的驱动能力,让您轻松应对各种低压控制、信号切换或负载驱动的场景。其出色的开关特性,能帮助您实现高效、精准的电路控制。
更令人放心的是,它具备汽车级AEC-Q101认证,工作温度横跨-55°C至150°C,确保在严苛环境下依然稳定如一。采用经典的TO-92兼容封装,让您的设计和生产流程都变得简单高效。选择BS107PSTZ,就是为您的产品注入一份可靠的动力核心。
- 型号:BS107PSTZ
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:E-Line(TO-92 兼容)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
- 系列:-
- 包装:剪切带(CT)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.6V,5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 欧姆 @ 100mA,5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):85 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):500mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
- 封装/外壳:E-Line-3
- BS107PSTZ,Diodes产品一站式供应商。