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您正在寻找一颗能轻松驾驭60V以下电压、精准控制250mA级电流的微型开关吗？BS870-7-F正是您的理想之选。这颗采用先进MOSFET技术的N沟道器件，以其低至5欧姆的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为表面贴装设计，微小的SOT-23-3封装让您能在极其紧凑的空间内实现高效的电源或信号路径管理。无论是用于便携设备的负载开关、接口保护，还是各类模块中的电平转换与驱动，BS870-7-F都能提供快速、可靠的性能。选择它，就是为您的产品选择了高效、稳定与小型化的完美结合。

• 型号:BS870-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BS870-7-F，Diodes产品一站式供应商。