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BSS123-7-F 零件图片(仅供参考)

BSS123-7-F
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BSS123-7-F 规格参数

还在为复杂的电路开关设计头疼?让BSS123-7-F来为您化繁为简!这颗小巧强大的N沟道MOSFET,是您实现高效、精准小功率控制的得力助手。它能轻松担当起电路中的“智能开关”角色,以100V的耐压和170mA的电流处理能力,可靠地导通或关断您的负载。

得益于仅6欧姆的优异导通电阻和SOT-23-3微型封装,它能让您的设计在高效节能的同时,极大节省宝贵的电路板空间。无论是用于电源管理、信号路径选择还是驱动外围器件,它都能让您的系统运行更稳定、响应更迅速,助您轻松打造出更具市场竞争力的产品。

  • 型号:BSS123-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6 欧姆 @ 170mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):60 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):300mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • BSS123-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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BSS123-7-F 基本参数:

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