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您正在设计需要精密控制的小功率电路吗？BSS123ATA正是为您而来。这颗N沟道MOSFET能在高达100V的电压下，以170mA的电流为您实现高效、可靠的开关控制。其低至4.5V的驱动门槛和仅6欧姆的导通电阻，让您轻松实现低损耗的能量路径管理，显著提升系统能效。

它采用微型SOT-23-3表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，非常适合集成到便携设备、电源模块或传感器接口中。宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了它在各种环境下都能稳定工作，让您的产品设计更具鲁棒性和市场竞争力。

• 型号:BSS123ATA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BSS123ATA，Diodes产品一站式供应商。