我们为全球各个行业提供Diodes BSS123ATC现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压、小电流的精密开关控制寻找一颗得心应手的“心脏”吗？BSS123ATC正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能在高达100V的电压下，稳定处理170mA的电流，其紧凑的SOT-23-3封装让您轻松应对PCB空间极限挑战，是便携设备、传感器接口和各类辅助电源管理的理想选择。

它拥有低至2V的开启门槛和优化的动态性能，让您的驱动电路设计更简单，系统响应更迅捷。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的可靠性，确保您的产品无论在何种环境下都能稳定发挥。选择它，就是为您的设计选择了一份经过验证的高效与安心。

• 型号:BSS123ATC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BSS123ATC，Diodes产品一站式供应商。