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您正在寻找一颗能高效、可靠地控制中小功率电路的开关吗？BSS123TC正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压能力和170mA的连续电流处理能力，采用微小的SOT-23-3封装，能轻松集成到空间受限的PCB设计中，是电池供电设备、信号路径切换和负载点控制的理想选择。

它能让您的设计事半功倍。其低至6欧姆的导通电阻（@10V Vgs）意味着更低的导通损耗和更高的能效，而仅需2.8V（最大值）即可开启的特性，让您能轻松使用常见的微控制器GPIO口直接驱动，极大简化了电路。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种环境下都能稳定运行，为您产品的可靠性保驾护航。

• 型号:BSS123TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BSS123TC，Diodes产品一站式供应商。