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您是否希望为您的紧凑型电子设备找到一颗高效、可靠的“电路开关”？BSS123WQ-7-F正是为此而生。这款N沟道MOSFET能轻松处理高达100V的电压和170mA的电流，以其低至6欧姆的导通电阻，确保信号切换高效顺畅，最大限度降低功率损耗。

它采用微型的SOT-323表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，让高密度设计变得轻而易举。无论是用于便携设备的电源管理、传感器信号的通断控制，还是其他需要高压小电流开关的应用，它都能稳定工作于-55°C至150°C的宽广温度范围，提供值得信赖的长期性能。选择它，让您的设计更精简、能效更出色、运行更可靠。

• 型号:BSS123WQ-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• BSS123WQ-7-F，Diodes产品一站式供应商。