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您正在寻找一颗能在高压环境下精准、可靠地控制小电流信号的“开关”吗？BSS127SSN-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有高达600V的耐压能力，却仅需极小的驱动电流和控制电荷，让您能轻松实现高效、快速的高压侧信号切换与隔离。

它集低导通电阻、超低栅极电荷和紧凑的SC-59封装于一身，能显著简化您的电路布局，降低系统整体功耗。无论是用于电源的启动电路、LED驱动的控制回路，还是其他需要高压小信号开关的场合，BSS127SSN-7都能以出色的稳定性和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的产品性能卓越，运行无忧。

• 型号:BSS127SSN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 欧姆 @ 16mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.08 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:21.8 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:610mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BSS127SSN-7，Diodes产品一站式供应商。