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您是否希望为您的电路板找到一颗既能节省空间，又能提升开关效率的“全能型选手”？BSS138-13-F正是为此而生！这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，集50V耐压、200mA电流能力于微小的SOT-23封装之内，让您在设计便携设备和模块时游刃有余。

它的核心价值在于“高效控制”。仅需1.5V的低开启电压和10V的标准驱动电压，让您的MCU能够轻松、直接地控制它，省去复杂驱动电路，简化设计流程。同时，其3.5欧姆的低导通电阻能显著减少开关损耗，提升整体能效，特别适合电池供电的物联网终端、传感器接口和信号路径管理。

选择它，意味着您选择了一个在-55°C至150°C范围内都能稳定工作的可靠伙伴。无论是用于电平转换、负载开关还是信号隔离，BSS138-13-F都能以出色的性能和极小的空间占用，助您打造更紧凑、更高效、更具竞争力的电子产品。

• 型号:BSS138-13-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BSS138-13-F，Diodes产品一站式供应商。