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还在为低功耗电路中的信号切换和负载控制寻找一颗“听话”又高效的开关吗？BSS138-7-F正是您的理想之选。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，专为低电压、小电流的精密控制场景而生。

它能让您轻松实现高效能开关。仅需1.5V的低开启电压，让微控制器可以直接驱动，省去额外电路；同时，其3.5欧姆的低导通电阻能显著减少开关损耗，提升整体能效。无论是管理电池供电设备的电源路径，还是切换传感器信号，它都能确保快速响应和极低的能量浪费。

此外，其小巧的SOT-23-3封装和高达150°C的工作结温，让您能在空间受限或环境温度较高的设计中放心使用，极大地增强了产品的可靠性和设计灵活性。

• 型号:BSS138-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BSS138-7-F，Diodes产品一站式供应商。