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BSS138DWQ-7 零件图片(仅供参考)

BSS138DWQ-7
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BSS138DWQ-7 规格参数

您正在寻找一个能同时兼顾高效开关与紧凑布局的解决方案吗?BSS138DWQ-7正是这样一颗为您量身打造的双N沟道MOSFET。它能让您轻松实现精准的信号切换与负载驱动,其50V的耐压和200mA的连续电流处理能力,足以应对大多数低功率应用场景,而极低的导通电阻则确保了高效的能量传输,减少损耗。

这颗芯片的核心优势在于其卓越的易用性与稳定性。仅需1.5V的低栅极阈值电压,让您可以直接用微控制器或逻辑电路轻松驱动,简化了您的设计。同时,其符合AEC-Q101标准的车规级品质,以及宽广的-55°C至150°C工作温度范围,为您在汽车电子、工业控制等要求苛刻的应用中提供了坚实的可靠性保障。选择它,就是选择了一个让设计更高效、产品更可靠的智能开关方案。

  • 型号:BSS138DWQ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):50V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.5 欧姆 @ 220mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • BSS138DWQ-7,Diodes产品一站式供应商。
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BSS138DWQ-7 基本参数:

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