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您正在寻找一颗能简化设计、提升效率的微型功率开关吗？BSS84-7-F正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有50V的耐压和130mA的连续电流能力，让您能轻松驾驭各种低压小功率负载的精准开关控制。

它的核心价值在于高效与易用。仅需5V的驱动电压即可实现低导通电阻，显著降低开关损耗和系统功耗。其紧凑的SOT-23-3封装为您节省宝贵的电路板空间，非常适合便携式设备、传感器模块和电源管理电路。选择BSS84-7-F，意味着为您的产品注入了可靠、紧凑且经济高效的功率控制核心。

• 型号:BSS84-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:45 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BSS84-7-F，Diodes产品一站式供应商。