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BSS8402DW-7 零件图片(仅供参考)

BSS8402DW-7
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BSS8402DW-7 规格参数

还在为复杂的双MOSFET布局而头疼吗?BSS8402DW-7为您提供了一站式解决方案!这颗精巧的芯片将60V N沟道与50V P沟道MOSFET集成于微小的SC70-6封装内,专为节省空间的现代电子设备而生。

它能让您轻松实现高效的电源管理和信号切换。其逻辑电平门控特性(Vgs(th)最大2.5V)意味着您可以直接用微控制器的GPIO口驱动,无需额外电路,大大简化设计。同时,低至7.5欧姆的导通电阻能有效减少功率损耗,提升整体能效。

无论是用于便携设备的负载开关、电池保护电路,还是各种需要紧凑型双路开关的场合,BSS8402DW-7都能以出色的性能和可靠性,让您的产品运行更稳定、设计更优雅。

  • 型号:BSS8402DW-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道互补型
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):60V,50V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA,130mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • BSS8402DW-7,Diodes产品一站式供应商。
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BSS8402DW-7 基本参数:

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