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您正在设计需要精巧电源切换或信号控制的电路吗？BSS84TA正是为您而来。这颗P沟道MOSFET能轻松担当起负载开关或电平转换的重任，凭借仅5V的低驱动电压和稳定的性能，让您高效管理电路的通断，显著简化设计并提升系统可靠性。

它采用紧凑的SOT-23-3封装，能帮您最大化节省宝贵的PCB空间。其50V的耐压和130mA的电流能力，足以应对广泛的低压应用场景。无论是延长电池寿命，还是确保信号完整性，BSS84TA都能让您的设计工作变得更加轻松、高效。

• 型号:BSS84TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BSS84TA，Diodes产品一站式供应商。