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BSS84WQ-7-F 零件图片(仅供参考)

BSS84WQ-7-F
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BSS84WQ-7-F 规格参数

还在为低功耗电路中的电源切换寻找最佳拍档吗?BSS84WQ-7-F就是您期待的那颗“高效节能芯”!它专为精准控制微小电流而设计,能以仅5V的低电压轻松驱动,实现快速、稳定的开关动作,让您的便携设备、传感器模块获得更长的续航生命。

这颗P沟道MOSFET集50V耐压、130mA电流能力于一身,却拥有仅10欧姆的低导通电阻,能极大减少开关过程中的能量损耗。其微小的SOT-323封装让您能从容应对紧凑的PCB空间挑战,而宽广的-55°C至150°C工作温度范围,则确保了它在各种环境下都能可靠工作。选择它,就是为您的产品选择了高效、可靠与紧凑的完美平衡。

  • 型号:BSS84WQ-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):50 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):45 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):200mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • BSS84WQ-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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BSS84WQ-7-F 基本参数:

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