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还在为电路板上的过压保护问题寻找一个既小巧又可靠的方案吗？BZT52C18LP-7正是为您而来的解决方案。这颗18V齐纳二极管，能精准地将电压稳定在您设定的水平，有效吸收意外的电压浪涌和尖峰，像一位忠诚的卫士，保护您电路中昂贵的核心IC免受损坏。

它采用微小的0402表面贴装封装，让您能在极其有限的空间内轻松布局，完美适用于对尺寸有严苛要求的便携式消费电子、物联网模块及可穿戴设备。其宽广的工作温度范围和低至100nA的反向泄漏电流，更能让您轻松应对各种复杂环境，同时优化系统功耗，提升整体能效。选择它，就是选择了一份让设计更高效、让产品更安心的保障。

• 型号:BZT52C18LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-2
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 18V 250MW 2DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):18 V
• 容差:±6.41%
• 功率 - 最大值:250 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):45 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 12.6 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0402（1006 公制）
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
• BZT52C18LP-7，Diodes产品一站式供应商。