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还在为寻找一颗能在狭小空间内提供卓越稳压性能的元件而费神吗？BZT52C36LP-7正是您理想的解决方案。这颗来自Diodes的36V齐纳二极管，以其250mW的功率和±6%的精密容差，专为在紧凑的0402封装内实现高效、稳定的电压钳位与基准电压生成而设计。

它能为您做什么？它能让您的电路板在面对电压波动时稳如泰山，为敏感IC提供可靠的过压保护，确保信号完整性。其低至90欧姆的动态阻抗和宽广的-65°C至150°C工作温度范围，让您的设计轻松应对各种严苛环境，从消费电子产品到工业控制系统都能游刃有余。选择它，就是选择了一种高效、省心的设计方式。

• 型号:BZT52C36LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-2
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 36V 250MW 2DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):36 V
• 容差:±6%
• 功率 - 最大值:250 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):90 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 25.2 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0402（1006 公制）
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
• BZT52C36LP-7，Diodes产品一站式供应商。