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您是否正在寻找一颗能精准“锁定”电压，为电路核心提供坚实保护的微型卫士？BZT52C3V6LP-7齐纳二极管正是您的理想伙伴。它能为您提供稳定的3.6V基准电压，有效箝制过压，吸收有害的电压尖峰，从而保护后级昂贵的集成电路免受损坏。

这颗芯片让您的设计工作变得异常轻松高效。其超小的0402封装（1006公制）几乎不占用宝贵的PCB空间，非常适合智能手机、可穿戴设备等高密度设计。同时，它拥有宽达-65°C至150°C的工作温度范围和仅250mW的极低功耗，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行，大幅提升了整体系统的耐用性和市场竞争力。

• 型号:BZT52C3V6LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-2
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 3.6V 250MW 2DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):3.6 V
• 容差:±6%
• 功率 - 最大值:250 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):90 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0402（1006 公制）
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
• BZT52C3V6LP-7，Diodes产品一站式供应商。