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BZT52C4V3-7-F 零件图片(仅供参考)

BZT52C4V3-7-F
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BZT52C4V3-7-F 规格参数

您正在寻找一颗能精准稳压、节省空间且高度可靠的电路保护核心吗?BZT52C4V3-7-F齐纳二极管正是为您而来。它能将电压稳定在4.3V,有效箝制过压,为您的微处理器、传感器或其他精密IC提供坚实的电压屏障,让您的设计免受电压浪涌的侵害。

这颗芯片采用微型SOD-123贴片封装,让您能在极其紧凑的电路板上轻松布局,同时提供高达500mW的功率处理能力。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围和极低的反向泄漏电流,确保您的设备无论是在严苛的工业环境还是持久的电池供电应用中,都能实现高效、稳定的运行。

  • 型号:BZT52C4V3-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-123
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.3 V
  • 容差:±7%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):90 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123
  • 供应商器件封装:SOD-123
  • BZT52C4V3-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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BZT52C4V3-7-F 基本参数:

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