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BZT52C4V7-7 零件图片(仅供参考)

BZT52C4V7-7
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BZT52C4V7-7 规格参数

您正在寻找一颗能精准锁定4.7V电压、同时兼顾高效能与高可靠性的解决方案吗?BZT52C4V7-7齐纳二极管正是为您而来。它能在您的电路中扮演电压基准或过压保护的关键角色,凭借500mW的功率处理能力和±6%的精密容差,确保关键节点的电压始终稳定在您设定的安全范围内。

这颗芯片能让您的设计轻松应对各种挑战。其超低的动态阻抗和反向泄漏电流,有效提升了电路的整体能效和信号质量。从-65°C到150°C的宽广工作温度范围,配合SOD-123小型化封装,让您能自信地将它部署在空间紧凑、环境严苛的各类应用中,无论是消费电子还是工业设备,都能实现高效而稳健的电压管理。

  • 型号:BZT52C4V7-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-123
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123
  • 供应商器件封装:SOD-123
  • BZT52C4V7-7,Diodes产品一站式供应商。
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BZT52C4V7-7 基本参数:

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