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还在为电路保护方案占用过多空间而头疼吗？BZT52C4V7LP-7齐纳二极管正是为您的高密度设计而生。它能在微小的0402封装内，为您提供精准的4.7V电压基准与可靠的过压保护，让您的便携设备和精密模块免受电压波动干扰。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅250mW的功耗和低至80欧姆的动态阻抗，高效地钳位电压，确保后续电路的稳定运行。其宽广的-65°C ~ 150°C工作温度范围，让您的产品无惧严寒酷暑，在各种环境下都表现卓越。选择它，就是选择了一种让设计更紧凑、让性能更可靠的轻松方案。

• 型号:BZT52C4V7LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-2
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):4.7 V
• 容差:±6%
• 功率 - 最大值:250 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):80 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 2 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0402（1006 公制）
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
• BZT52C4V7LP-7，Diodes产品一站式供应商。