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还在寻找一款能精准“锁定”电压、为电路核心提供坚实保护的微型卫士吗？BZT52C6V2-13齐纳二极管正是为您而来。它能在电路中建立起一个稳定的6.2V基准点，有效吸收电压尖峰和浪涌，防止敏感元器件受损，让您的设计在面对电压波动时依然从容不迫。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现电压钳位和瞬态抑制，其仅10欧姆的最大动态阻抗和低至3A的反向泄漏电流，意味着它既能快速响应过压，又能保持极低的自身功耗。采用小巧的SOD-123封装，节省宝贵的电路板空间，同时其宽广的工作温度范围（-65°C ~ 150°C）确保了在各种严苛环境下的高效与可靠。选择它，就是为您的电子产品注入一份稳定的内核力量。

• 型号:BZT52C6V2-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOD-123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):6.2 V
• 容差:±6%
• 功率 - 最大值:500 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):10 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 4 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOD-123
• 供应商器件封装:SOD-123
• BZT52C6V2-13，Diodes产品一站式供应商。